Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2026

Ключевые слова: quaternary compounds, electrical conductivity, seebeck coefficient, band gap width, incongruent melting, четверные соединения, электропроводность, коэффициент Зеебека, ширина запрещенной зоны, инконгруэнтное плавление

Аннотация: Соединения SrLnCuSe₃ (Ln = Sm, Er, Yb) и EuErCuSe₃ получены из селенидов металлов, синтезированных из простых веществ. Измерения электропроводности и коэффициента Зеебека в интервале 310-420 K проведены для керамических образцов, спрессованных при 673 K. Все полученные соединения являются полупроводниками p-типа. У сложных селенидов стронция удельное сопротивление уменьшается с ростом температуры: ρ = 710-380 Ω•см для SrSmCuSe₃, ρ = 1.4-1.3 Ω•см для SrYbCuSe₃. Для фазы EuErCuSe₃ происходит рост удельного сопротивления с возрастанием температуры. Коэффициенты Зеебека увеличиваются с повышением температуры в интервалах: S = 160-225 мкВ•K^-1 для SrSmCuSe₃, S = 12-26 мкВ•K^-1 для SrYbCuSe₃. Значения термической запрещенной зоны Е_g для SrLnCuSe₃ (Ln = Sm, Er, Yb) составляют 0.26, 0.07, 0.06 эВ соответственно. Значения оптической ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых электронных переходов составляют для SrSmCuSe₃ - 2.12, 3.84 эВ и 1.7, 1.05 эВ; для SrYbCuSe₃ - 1.4, 1.68 эВ и 0.545 эВ. Данные свидетельствуют о сильной дисперсии дна зоны проводимости. Определены температуры, энтальпии инконгруэнтного плавления соединений SrSmCuSe₃ (Т = 1485 K, ∆H = 23.2 Дж•г^-1); SrYbCuSe₃ (Т = 1510 K, ∆H = 20.5 Дж•г^-1). The compounds SrLnCuSe₃ (Ln = Sm, Er, Yb) and EuErCuSe₃ were obtained from metal selenides synthesized from simple substances. Measurements of electrical conductivity and Seebeck coefficient were carried out in the temperature range of 310-420 K for ceramic samples pressed at 673 K. All the obtained compounds are p-type semiconductors. For complex strontium selenides, electrical resistivity decreases with increasing temperature: ρ = 710-380 Ω cm for SrSmCuSe₃ and ρ = 1.4-1.3 Ω cm for SrYbCuSe₃, while in the case of the EuErCuSe₃ phase, electrical resistivity increases with increasing temp erature. The Seebeck coefficients increase with temperature in the ranges: S = 160-225 µV K^-1 for SrSmCuSe₃ and S = 12-26 µV K^-1 for SrYbCuSe₃. The widths of the thermal band gap Е_g for SrLnCuSe₃ (Ln = Sm, Er, Yb) are equal to 0.26, 0.07, and 0.06 eV, respectively. The widths of the optical band gap for direct and indirect electronic transitions correspond to 2.12, 3.84 eV and 1.7, 1.05 eV for SrSmCuSe₃ as well as 1.4, 1.68 eV and 0.545 eV for SrYbCuSe₃. The results indicate a strong dispersion of the bottom of the conduction band. The temperatures and enthalpies of incongruent melting of the compounds SrSmCuSe₃ (Т = 1485 K, ΔH = 23.2 J g^-1) and SrYbCuSe₃ (Т = 1510 K, ΔH = 20.5 J g^-1) were determined.

Журнал: Известия Академии наук. Серия химическая

Выпуск журнала: Т.75, №6

Номера страниц: 1868-1881

ISSN журнала: 10263500

Место издания: Москва

Издатель: Российская академия наук, Институт органической химии им. Н.Д. Зелинского РАН, Отделение общей и технической химии РАН

• Хабибуллаев Н. Н. (Тюменский государственный университет)
• Новиков С. В. (Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе)
• Александровский А. С. (Сибирский федеральный университет)
• Волкова С. С. (Тюменский государственный университет)
• Трофимова О. В. (Тюменский государственный университет)
• Монина Л. Н. (Тюменский государственный университет)
• Андреев О. В. (Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)