Тип публикации: патент
Год издания: 2026
Аннотация: Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для объединения или разделения сигналов на двух несущих частотах. Микрополосковый диплексер содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую сторону нанесен полосковый проводник, образующий пятимодовый резонатор. Полосковый проводник закольцован при помощи трех заземленных на основание отрезков, которые состыковывают между собой первый и второй ряд отрезков и участвуют в формировании резонансов, образующих смежные полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов. Резонатор вдоль двух сторон, свободных от портов конструкции, электромагнитно связан с парой нерезонансных протяженных полосковых проводников, каждый из которых расположен таким образом, что их противоположные края совпадают с краями подложки и заземлены на основание. Технический результат - расширение смежных полос пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов диплексера и улучшение его частотно-селективных свойств, а в частности увеличение протяженности высокочастотных полос заграждения обоих каналов, а также уменьшение габаритов диэлектрической подложки конструкции. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. FIELD: ultra-high frequency technology. SUBSTANCE: invention is intended for combining or separating signals on two carrier frequencies. A microstrip diplexer comprises a dielectric substrate with a grounded base applied to one side and a strip conductor applied to the other side, forming a five-mode resonator. The strip conductor is looped using three segments grounded to the base, which connect the first and second rows of segments and participate in the formation of resonances that form adjacent passbands of the low-frequency and high-frequency channels. The resonator is electromagnetically coupled along two sides of the structure free from ports to a pair of non-resonant extended strip conductors, each of which is positioned so that their opposite edges coincide with the edges of the substrate and are grounded to the base. EFFECT: expansion of the adjacent bandwidths of the low-frequency and high-frequency channels of the diplexer and an improvement in its frequency-selective properties, and in particular an increase in the length of the high-frequency stop bands of both channels, as well as a reduction in the dimensions of the dielectric substrate of the structure. 2 cl, 4 dwg