Тип публикации: патент
Год издания: 2026
Аннотация: Использование: для создания функциональной микро- и наноэлектроники на основе термостойких металлических электропроводящих тонких пленок. Сущность изобретения заключается в том, что тонкопленочная система металл/металл с диффузионным барьером содержит подложку, на которую поэтапно нанесены слой алюминия, слой платины, слой металла из группы (Ni, Cu, Au, Ag), при этом между слоем алюминия и слоем платины образован аморфный слой Al2Pt, выполняющий функцию диффузионного барьера. Технический результат - обеспечение возможности создания диффузионного барьера для предотвращения твердофазной реакции в тонкопленочных системах металл/металл. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.<img src="/get_item_image.asp?id=91268010&img=00000002.jpg" class="img_big"> FIELD: nanoelectronics. SUBSTANCE: use: for creating functional micro- and nanoelectronics based on heat-resistant metallic electrically conductive thin films. The essence of the invention lies in the fact that a thin-film metal/metal system with a diffusion barrier comprises a substrate on which an aluminium layer, a platinum layer, a metal layer from the group (Ni, Cu, Au, Ag) are successively deposited, wherein an amorphous Al2Pt layer performing the function of a diffusion barrier is formed between the aluminium layer and the platinum layer. EFFECT: provision of the possibility of creating a diffusion barrier to prevent a solid-phase reaction in thin-film metal/metal systems. 2 cl, 1 dwg, 2 tbl