Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2026
Идентификатор DOI: 10.61011/FTT.2026.01.62574.294-25
Ключевые слова: hybrid structures, thin films, molecular beam epitaxy, solid-phase epitaxy, High-energy electron diffraction, atomic force microscopy, гибридные структуры, тонкие пленки, молекулярно-лучевая эпитаксия, твердофазная эпитаксия, дифракция отраженных быстрых электронов, атомно-силовая микроскопия
Аннотация: Исследованы структурные свойства многослойных пленок ферромагнетик|полупроводник, синтезированных на подложках кремния, с целью изучения процессов роста пленки германия на силициде Fe3Si при твердофазном синтезе. Установлено, что при отжиге нанокристаллического слоя германия толщиной менее 25 nm при температуре 370 oC происходит образование монокристаллических островков с одинаковой кристаллографической ориентацией. Установлено влияние времени отжига, толщины слоя германия и комбинированных методов синтеза на протекание процессов кристаллизации. В стационарном режиме длина поверхностной диффузии адатомов германия составляет около 1800 nm. This work investigates the structural properties of ferromagnet/semiconductor multilayer films synthesized on silicon substrates, specifically examining the growth processes of germanium films on Fe3Si during solid-phase epitaxy. It has been established that annealing of a nanocrystalline germanium layer with a thickness of less than 25 nm at a temperature of 370 °C leads to the formation of monocrystalline islands with identical crystallographic orientation. The influence of annealing time, germanium layer thickness, and combined synthesis methods on the crystallization processes has been determined. In the stationary regime, the surface diffusion length of germanium adatoms is approximately 1800 nm.
Журнал: Физика твердого тела
Выпуск журнала: Т. 68, № 1
Номера страниц: 38-46
ISSN журнала: 03673294
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук