Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: XV Международная конференция по фотонике и информационной оптике; Москва; Москва

Год издания: 2026

Аннотация: Приведены результаты разработки высокоразрешающего пространственного фазового модулятора (1024 × 1024 пикселя) на жидких кристаллах (ЖК) для видимого диапазона. Устройство, созданное на основе технологии «жидкий кристалл на кремнии», обеспечивает фазовую модуляцию более 2π за счёт управления ориентацией молекул ЖК электрическим полПоказать полностьюем. Продемонстрирована возможность формирования сложных фазовых профилей. This work presents a high-resolution (1024 × 1024) liquid-crystal spatial phase modulator for the visible spectrum. Based on the liquid-crystal-on-silicon (LCoS) technology, the device achieves a phase shift exceeding 2π by electrically controlling the molecular orientation. We demonstrate its capability to generate complex phase profiles through individual pixel addressing.

Журнал: XV Международная конференция по фотонике и информационной оптике

Номера страниц: 37-38

Место издания: Москва

• Мутилин С. В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Милёхин А. Г. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Макаров Ю. С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Селезнев В. А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Тумашев В. С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Багочюс Е. К. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Манцуров Н. Д. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Речкунов С. Н. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Гайдук A. E. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Комонов А. И. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Азаров И. А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Кремис И. И. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Турбин А. В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Гладков Р. А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Васильев В. В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Моисеев А. А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Сутормин В. С. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Крахалев М. Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Баранник А. В. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Фейзер К. А. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Абдуллаев А. С. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Костиков Д. А. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Лесной М. А. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Прищепа О. О. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Зырянов В. Я. (Институт физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Рудаков С. Д. (Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ)
• Суродин С. И. (Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ)
• Шоболова Т. А. (Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ)
• Шоболов Е. Л. (Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ)
• Линник Д. М. (РФЯЦ - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики)
• Юрин В. А. (РФЯЦ - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики)
• Шагалиев Р. М. (РФЯЦ - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики)
• Латышев А. В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)