Перевод названия: PHOTOCHEMICALLY INDUCED LUMINESCENCE POLARIZATION OF CdSe/ZnS QUANTUM RODS IN POROUS MATRIX
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2013
Ключевые слова: CdSe/ZnS quantum rods, Photoinduced anisotropy, ordering, luminescence, Porous matrixes, квантовые стержни CdSe/ZnS, фотоиндуцированная анизотропия, упорядочивание, люминесценция, пористые матрицы
Аннотация: В исходно неупорядоченном ансамбле квантовых стержней, внедренных в пористую матрицу, проведена селективная фотохимическая реакция в условиях продолжительного облучения поляризованным светом. Результатом протекания реакции стало возникновение фотоиндуцированной анизотропии люминесценции нанокристаллов. После завершения длительного Показать полностьюпериода облучения наблюдался специфический темновой процесс релаксации фотоиндуцированной анизотропии, предположительно обусловленный вращательной диффузией нанокристаллов в порах матрицы. Характерное время протекания процесса – около 10 минут. Биэкспоненциальный вид зависимости интенсивности люминесценции квантовых стержней от времени в ходе фотохимической реакции обусловлен развитием двух фотоиндуцированных процессов в системе – фотоиндуцированного увеличения квантового выхода люминесценции и фотоокисления. Selective photochemical reaction in initially disordered ensemble of quantum rods, embedded in porous matrix, under continuous irradiation with polarized light is carried out. Photochemical reaction resulted in an appearance of photoinduced anisotropy of the nanocrystals luminescence. A specific dark process of anisotropy relaxation lasting around 10 minutes is observed. This process is presumably induced by rotational diffusion of nanocrystals in pores of the matrix. A bi-exponential time dependence of quantum rod luminescence intensity in photochemical reaction is attributed to the development of two photoinduced processes: photoinduced luminescence enhancement and photooxidation.
Журнал: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
Выпуск журнала: № 5
Номера страниц: 133-139
ISSN журнала: 22261494
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики"