Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование; Благовещенск; Благовещенск
Год издания: 2023
Идентификатор DOI: 10.22250/9785934934195_72
Аннотация: В данной работе авторами рассматривается квантово-механическое моделирование системы Si/Ge/Si. Были составлены и отрелаксированны тестовые структуры силицена, германена и самого интерфейса типа сэндвич. Были рассчитаны полный потенциал, электронная плотность и дырочные состояния оттранслированного интерфейса. Были проанализированы Показать полностьюзначения электронной плотности и полного потенциала системы в зависимости от направления намагниченности. Полученные результаты могут быть применены в наноэлектронике для создания квантовых транзисторов. In this work, the authors carried out quantum mechanical simulation of the Si/Ge/Si system. Test structures of silicene, germanene and the most surface type of sandwich were compiled and relaxed. The total potential, electron density and hole states from the broadcast face were calculated. The contribution to the electron density and the total potential of the system, depending on the sign of the magnetization of the entire supercell was also noted. The obtained results can be applied in the field of nanoelectronics to create quantum transistors.
Журнал: Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование
Номера страниц: 72-74
Место издания: Благовещенск