Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO₂/p-Si и Mn/SiO₂/n-Si : специальность 01.04.11 Физика магнитных явлений ""

Описание

Тип публикации: диссертация

Год издания: 2017

Ключевые слова: спинтроника, полупроводники, магнитный импеданс, диод с барьером Шоттки

Аннотация: Получены данные, которые позволяют дополнить производство магниточувствительных элементов полупроводниковой электроники новыми образцами. Принцип действия этих устройств основан на эффекте магнитоимпеданса, возникающем за счет участия поверхностных центров на границе диэлектрик/полупроводник и процессов их перезарядки. Управление мПоказать полностьюагнитосопротивлением такой структуры возможно за счет частоты переменного тока, внешнего магнитного поля и напряжения смещения. Такие устройства могут быть особенно полезны в областях, где играет важную роль такой критерий, как чувствительность к магнитному полю, и при изготовлении высокочастотных приборов.

Ссылки на полный текст

Персоны

  • Смоляков Дмитрий Александрович

Вхождение в базы данных