PSPICE-МОДЕЛЬ МДП-ТРАНЗИСТОРА ОБЕСПЕЧИВАЕТ ЛУЧШУЮ ПО СРАВНЕНИЮ С ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМОЙ СКОРОСТЬ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ИМПУЛЬСНОГО РЕЖИМА РАБОТЫ : доклад, тезисы доклада

Описание

Перевод названия: USING MOSFET PSPICE-MODEL AGAINST ITS EQUIVALENT CIRCUIT PROVIDES THE BEST SIMULATION JOB TIME

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Дискуссии в области гуманитарных, естественно-научных аспектов современности; Симферополь; Симферополь

Год издания: 2022

Ключевые слова: switch, mosfet, computer simulation, equivalent circuit, PSpice-model, ключевой элемент, МДП-транзистор, компьютерное моделирование, эквивалентная схема, PSpice-модель

Аннотация: В статье предложен метод сравнения двух подходов при компьютерном моделировании переходных процессов в схемах с МДП-транзисторами в качестве ключевых элементов, работающих в импульсном режиме: подхода с использованием эквивалентной схемы МДП-транзистора, и подхода с использованием его PSpice-модели. Предложены численные показатели Показать полностьюдля сравнения этих подходов. Проведено сравнительное моделирование и представлен вывод о предпочтительных случаях использования каждого из подходов на практике. Computer switched MOSFET simulation methods compared: an equivalent circuit based and PSpice-model based ones. Competitive simulation performed, and the preferable methods usage proposed.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Дискуссии в области гуманитарных, естественно-научных аспектов современности

Выпуск журнала: Часть 1

Номера страниц: 312-318

Место издания: Ростов-на-Дону

Издатель: Профпресслит

Персоны

  • Сазонов Игорь Евгеньевич (ФГАОУ ВО «Сибирский федеральный университет»)
  • Копытов Александр Андреевич (ФГАОУ ВО «Сибирский федеральный университет»)
  • Щасновский Алексей Александрович (ФГАОУ ВО «Сибирский федеральный университет»)

Вхождение в базы данных