Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2021
Ключевые слова: resistive devices, zinc oxide, резистивные устройства, оксид цинка, T-ALD, PEALD, PET-ALD
Аннотация: The research describes methods of producing resistive devices for using in Resistive Random Access Memory (ReRAM). The devices is based on zinc oxide thin films (ZnO), obtained by thermal atomic layer deposition method (T-ALD), plasma enhances atomic layer deposition method (PE-ALD) and thermal atomic layer deposition with plasma aПоказать полностьюssisted during films growth process (PET-ALD). Исследование описывает методы изготовления резистивных устройств для применения их в резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Устройства основаны на тонких пленках оксида цинка (ZnO), полученного методом термического атомно-слоевого осаждения (T-ALD), плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения (PE-ALD), а также c применением плазменной обработки во время роста пленки (PET-ALD).
Журнал: Молодежь. Общество. Современная наука, техника и инновации
Выпуск журнала: №20
Номера страниц: 395-397
Место издания: Красноярск
Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"