Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2019
Ключевые слова: flash memory, floating-gate transistor, FLASH-память, транзистор с плавающим затвором
Аннотация: This article describes the design and principle of operation of the basic element of Flash memory - transistor with a floating gate. We have considered the ways of improvement and the prospects of application of Flash memory. Представлены описания конструкции и принципа действия основного элемента Flash-памяти - транзистора с плаваПоказать полностьюющим затвором. Рассмотрены пути совершенствования и перспективы применения Flash-памяти.
Журнал: Молодежь. Общество. Современная наука, техника и инновации
Выпуск журнала: №18
Номера страниц: 94-95
Место издания: Красноярск
Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"