КРИТИЧЕСКИЙ ИНДЕКС ТЕПЛОЁМКОСТИ В ЗАДАЧЕ СВЯЗЕЙ ДЛЯ МОДЕЛИ ОДНОМЕРНОЙ ПЕРКОЛЯЦИИ С УЧЁТОМ ВНЕШНЕГО ПОЛЯ : научное издание

Описание

Перевод названия: HEAT CAPACITY CRITICAL EXPONENT IN THE BOND PROBLEM FOR ONE-DIMENSIONAL PERCOLATION MODEL TAKING INTO ACCOUNT THE EXTERNAL FIELD

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2020

Ключевые слова: компьютерное моделирование, теория перколяции, одномерная задача связей, перколяционный порог, свободная энергия, критический индекс теплоёмкости, слабое внешнее поле, computer modeling, percolation theory, one-dimensional bond problem, percolation threshold, free energy, the critical exponent of the specific heat

Аннотация: Построена одномерная перколяционная модель для задачи связей при протекании по неближайшим соседям. Предложены новые алгоритмы нахождения перколяционного порога для решеток произвольного размера с произвольным радиусом протекания без построения покрывающей решетки и матрицы смежности. Эти алгоритмы работают на ЭВМ существенно быстрПоказать полностьюее известных. Рассчитан порог при радиусе протекания до восьми. Кроме того, рассчитана свободная энергия и критический индекс теплоёмкости для цепочек различной длины до перколяционного радиуса, равного шести. В работе учтено влияние слабого поля. Результаты могут найти применение при моделировании прыжковой проводимости полупроводников при низких температурах. A one-dimensional percolation model is constructed for the bond problem for percolation along not nearest neighbors. New algorithms are proposed for finding the percolation threshold for gratings of arbitrary size with an arbitrary percolation radius without constructing a covering lattice and an adjacency matrix. These algorithms work on computers much faster than the known ones. The threshold is calculated for a percolation radius of up to eight. In addition, the free energy and critical heat capacity exponent were calculated for chains of various lengths up to a percolation radius of six. The influence of a weak field is taken into account in the work. The results may find application in simulating the hopping conductivity of semiconductors at low temperatures.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Южно-Сибирский научный вестник

Выпуск журнала: 1

Номера страниц: 3-8

ISSN журнала: 23041943

Место издания: Бийск

Издатель: Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова, Институт проблем химико-энергетических технологий СО РАН, Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Политех", ООО "Центр ультразвуковых технологий"

Персоны

  • Якунина Татьяна Валерьевна (Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова)
  • Удодов Владимир Николаевич (Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова)

Вхождение в базы данных