СЕТЧАТАЯ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРА, В ЧАСТНОСТИ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ, И СПОСОБ ЕЁ ПОЛУЧЕНИЯ : патент на изобретение

Описание

Перевод названия: NETWORK MICRO- AND NANOSTRUCTURE, IN PARTICULAR FOR OPTICALLY TRANSPARENT CONDUCTIVE COATINGS, AND METHOD FOR OBTAINING THEREOF

Тип публикации: патент

Год издания: 2016

Аннотация:

Изобретение относится к химической промышленности, микроэлектронике и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении прозрачных проводящих покрытий, светопоглощающих и светопреобразующих слоёв для оптических и фотовольтаических устройств, самоочищающихся поверхностей, биометрических материалов, мембран, катализаторов. Сетчатую микро- и наноструктуру получают путём формирования на подложке слоя вещества, образующего трещины в процессе химической и/или физической реакции, и использования полученного слоя в качестве шаблона для задания геометрии микро- и наноструктуры. Полученная сетчатая микро- и наноструктура содержит проводящий или диэлектрический слой, выполненный в виде единой ажурной структуры, соответствующей геометрии трещин. Изобретение позволяет не использовать сложные методы литографии, повысить механическую надёжность структуры и её электропроводность. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 ил.

FIELD: chemistry.

SUBSTANCE: invention relates to chemical industry, microelectronics and nanotechnology and can be applied in production of transparent conductive coatings, light-absorbing and light-transforming layers for optical and photovoltaic devices, self-cleaning surfaces, biometric materials, membranes, catalysts. Network micro- and nanostructure is obtained by formation on the substrate of substance layer, which forms cracks in the process of chemical and/or physical reaction, and application of obtained layer as template for setting geometry of micro- and nano-structure. Obtained network micro- and nanostructure contains conductive or dielectric layer, made in form of single open-work structure, corresponding to geometry of cracks.

EFFECT: invention makes it possible not to apply complicated methods of lithography, increase mechanical reliability of structure and its electric conductivity.

16 cl, 2 dwg

Ссылки на полный текст

Персоны

Вхождение в базы данных