Перевод названия: MICROSTRIP DIVIDERS OF POWER BASED ON TWO-DIMENSIONAL ELECTROMAGNETIC CRYSTAL

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Радиотехника, электроника и связь (РЭиС-2017); Омск; Омск

Год издания: 2017

Ключевые слова: microstrip divider, bandwidth, strip conductor, dielectric substrate, amplitude-frequency characteristic, микрополосковый делитель, полоса пропускания, полосковый проводник, диэлектрическая подложка, амплитудно-частотная характеристика

Аннотация: С помощью численного электродинамического анализа 3D моделей исследованы конструкции микрополосковых делителей мощности на основе двумерного электромагнитного кристалла. При расчетах использовались одинаковые подложки с диэлектрической проницаемостью ε = 9.8 и толщиной h = 1 мм. В устройстве с распараллеленным полосковым проводникоПоказать полностьюм сигнал, поступающий на вход, разделяется по двум каналам. Наращивание числа резонаторов в конструкции сопровождается повышением ее частотно-селективных свойств, а в частности увеличением крутизны спада частотных характеристик делителя мощности. Также на основе двумерного электромагнитного кристалла можно реализовать и четырехканальный делитель мощности. Design of microstrip power dividers based on two-dimensional electromagnetic crystal were developed by means of electrodynamic numerical analysis of 3D models. In this case, identical substrates with dielectric permeability e = 9.8 and thickness h = 1 mm were used. The signal received at the input device with parallelized strip conductor, is divided into two channels. The growth in the number of resonators in the construction is accompanied by an improvement of its frequency-selective properties and in particular increase of divider frequency response slope. The four-channel divider of power based on two-dimensional electromagnetic crystal can be realized also.

Журнал: Радиотехника, электроника и связь (РЭиС-2017)

Номера страниц: 443-448

Издатель: Омский научно-исследовательский институт приборостроения

• Ходенков С.А. (Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева)
• Боев Н.М. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
• Королев Е.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
• Шокиров В.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
• Бандурина О.Н. (Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)